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2007年进行的微缩调查
2006年左右，逻辑器件半导体的微缩正在从65nm向45nm发展。但是，当时先进的曝光设备ArF（现在称为ArF干法）已经达到了分辨率上限，而作为下一代曝光设备的候补的EUV问题堆积如山，甚至连R&D设备都不存在。因此，“半导体的微缩不是已经结束了吗？”这样的气氛在半导体业界飘浮着。
当时还是同志社大学经营学老师的笔者说：“半导体的微缩什么时候停止？”受此委托研究的影响，2007年7～9月（整整2个月）环游世界，访问了尖端半导体制造商、制造设备和材料制造商、美国的财团SEMATECH和欧洲imec，对与微缩相关的关键人物进行了调查。
当时询问的时候，我们把逻辑器件和内存分开来看。问题包括例如你觉得半间距（hp）以几nm的界限会是什么”。回顾当时，细微的金属布线（M1）的间距与技术节点大致成比例关系，所以上述问题是“M1的hp界限是多少nm？”。
另外，关于存储器，NAND型闪存持续进行二维微缩，其水平比DRAM先进，所以询问的是“您认为NAND闪存的微配线M1的hp是几nm？”这样的问题。图3展示出了这样进行的调查结果。A、B…、Z表示了回答笔者提问的技术人员的序列号（时间上按A→B→…、Z的顺序进行了调查）。
微缩的上限被轻易打破
从结果来看，当时有不少技术人员认为逻辑器件上hp为45nm的时候是上限，而内存则在hp为32nm的时候是上限。这种微缩的界限是通过延长ArF干法的ArF浸液和SADP（Self-Arigined Double Patterning、）等技术简单地被打破的。即使当时有相当多的技术人员认为“像浸液一样复杂的曝光设备无法启动”、“即使SADP微缩了也不会提高成品率”。
值得一提的是，在访问TSMC以调查的时候，笔者联系了TSMC的朋友，让他们聚集了5~6个主管级别的人。笔者在台湾新竹的TSMC会议室，将之前的听取调查结果（A至X）投射到幻灯片上。
当时聚集在一起的TSMC相关人员全体大笑起来。而且，“你在说什么呢，hp45nm和hp32nm是上限之类的蠢话？我们已经开发了22nm了？”。其中的2人也回答了我提的问题，他们给出的答案分别是hp16nm和hp10nm。
我认为TSMC从2018年开始量产的7nm的M1在hp18nm左右，2020年量产的先进5nm的M1在hp16nm附近。因此，台积电当时的上限说法在2020年被打破。至于剩下的hp10nm，我认为在TSMC的3nm，未来的2nm上接近其界限，如果再实现下一个1.5nm～1nm的话，这个上限就会被打破。
关于EUV的调查
从“微缩上限的hp是多少nm”的调查中可以看出，2007年的时候正在开发很困难的EUV，笔者对A~Z的相关人员说：“EUV的量产机是不是不能实现呢？”
光刻相关人员大概是因为对EUV开发的困难非常了解，才会觉得“无法实现量产机”。然而，除了光刻以外的相关人员却从一开始就不相信光刻专家，认为“光刻专家总是说做不到而闹得不可开交”。
并且从结果来看，2019年TSMC在7nm+的时候大量应用EUV光刻机，2020年布线也适用EUV的5nm上升了。因此，证明了光刻专家说的话不正确。也就是说，不要相信光刻专家“做不到”比较好。
这样，在半导体业界历史上，微缩的上限说总是被打破，虽然步伐虽然慢下来，但是没有停止。那么，今后的前景如何呢？
关于微缩，从2001年国际半导体技术发展路线图（International Technology Roadmap for Semiconductors、ITRS）可以看到。如果按照这个路线图继续前进，走在尖端的是量产PC用处理器的美国Intel，所以这个路线图又被称为“Intel Technology Roadmap for Semiconductor”（Intel的路线图）。
然而，在Intel 的10nm于2016年失败时以后，ITRS也在当年结束，之后被International Roadmap for Devices and Systems（IRDS）继承，但是已经没有人再说这是“Intel的路线图”了。并且，代替Intel跃居到微缩前端的是TSMC，半导体的路线图比起IRDS，感觉欧洲财团imec发表的东西更接近现实。
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来源：半导体行业观察